一种薄膜晶体管及其制造方法、光刻工艺

[发明公布] 一种薄膜晶体管及其制造方法、光刻工艺

申请公布号：CN104300002A

申请公布日：2015.01.21

申请号：201310296765X

申请日：2013.07.15

申请人：信利半导体有限公司

发明人：肖双喜; 任思雨; 于春崎; 胡君文; 何基强; 李建华

地址：516600广东省汕尾市城区东冲路北段工业区信利半导体有限公司

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、光刻工艺，所述光刻工艺使用半灰阶掩膜板进行曝光，曝光显影后，依次去除半灰阶掩膜板的第一区域对应的膜层A、半灰阶掩膜板的第一区域对应的膜层B和半灰阶掩膜板的第三区域对应的膜层A，完成刻蚀。此种光刻工艺只需经过一次通过半灰阶掩膜板的曝光，就能满足对膜层A和膜层B的刻蚀要求，可以减少光刻工艺的制程，从而达到简化光刻工艺的目的，降低制作成本。当应用此种光刻工艺制作薄膜晶体管时，可以将薄膜晶体管的制作工艺由六次光刻简化为四次光刻，简化了薄膜晶体管的制作方法，降低了薄膜晶体管的制作成本。