带有应变源的GeSn红外探测器

[发明公布] 带有应变源的GeSn红外探测器

申请公布号：CN104300013A

申请公布日：2015.01.21

申请号：2014101855295

申请日：2014.05.05

申请人：重庆大学

发明人：刘艳; 韩根全; 张庆芳; 王轶博

地址：400030重庆市沙坪坝区沙正街174号

摘要： 本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n+型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，GeSn光吸收阵列的顶部为p+型GeSn金属接触阵列105，应变源阵列的顶部为p+型SiGe金属接触阵列106，第一电极107环绕在探测器的光照区金属接触阵列之上，第二电极108在n+型衬底之上。其中应变源阵列104的材料的晶格常数比光吸收阵列103的材料小，形成对光吸收区的应变，该应变在xy平面内为双轴张应变，在z方向为单轴压应变。这种应变有利于GeSn沟道Γ点下移，使直接带隙EgΓ宽度减小，从而展宽探测器的光响应范围。