电介质薄膜的成膜方法
发布时间：2018/3/26 10:23:57 阅读：
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[发明公布] 电介质薄膜的成膜方法
- 申请公布号：CN103189968A
- 申请公布日：2013.07.03
- 申请号：2011800531700
- 申请日：2011.10.03
- 申请人：株式会社爱发科
- 发明人：木村勋;
神保武人; 小林宏树; 远藤洋平; 大西洋平 - 地址：日本神奈川县
- 分类号：H01L21/316(2006.01)I; 全部
- C01G21/06(2006.01)I; C01G25/00(2006.01)I; C23C14/02(2006.01)I; C23C14/08(2006.01)I; C23C14/34(2006.01)I
- 专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司72001
- 代理人：臧霁晨; 刘春元
- 优先权：2010-227008 2010.10.06 JP
- PCT进入国家阶段日：2013.05.03
- PCT申请数据：PCT/JP2011/072805 2011.10.03
- PCT公布数据：WO2012/046706 JA 2012.04.12
摘要： 本发明提供能够形成具有（100）/（001）取向的PZT薄膜的电介质薄膜的成膜方法。使PbO气体附着在衬底的表面形成种子层后，一边在已抽真空的真空槽内对衬底进行加热一边对锆钛酸铅（PZT）靶施加电压进行溅射，在衬底的表面上形成PZT薄膜。由种子层提供Pb和O，得到在PZT薄膜上不发生Pb缺损的、具有（001）/（100）取向的PZT膜。
