用于半导体处理腔室的制品
发布时间：2021/5/31 15:32:54 阅读：
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[实用新型] 用于半导体处理腔室的制品
摘要： 本公开的实施例涉及用于半导体处理腔室的制品。所述制品包括：主体；含稀土金属的氧化物涂层，所述含稀土金属的氧化物涂层共形地覆盖所述主体的表面，所述含稀土金属的氧化物涂层具有0％的孔隙率；以及缓冲层，所述缓冲层在所述主体的所述表面上，其中所述含稀土金属的氧化物涂层覆盖所述缓冲层，其中，所述含稀土金属的氧化物涂层具有以小于+/‑20％的厚度变化、+/‑10％的厚度变化、+/‑5％的厚度变化、或者更小的厚度变化而涂覆的下层表面的保形覆盖。
