本实用新型公开了一种可区分晶面的碳化硅晶体，涉及碳化硅单晶制备技术领域；所述晶体的上或下表面为碳面，相对另一面为硅面；碳面和硅面之间为晶体本体，所述晶体本体的侧面设置有刻制的标识结构，所述标识结构的刻制深度为10‑50μm，标识结构用于区分碳面和硅面；本实用新型通过在晶体的侧面通过刻痕的形式设置标识结构，不易在生产加工的过程中消除或引入杂质污染，且可以方便快速的对晶锭或晶片两个晶面进行区分，提高了加工生产的效率；解决了碳化硅晶锭/片及加工过程中碳化硅晶锭/片晶面易混淆，无法识别的问题。