具有静电保护结构的功率器件及其制作方法

[发明公布] 具有静电保护结构的功率器件及其制作方法

申请公布号：CN104300000A

申请公布日：2015.01.21

申请号：2014105905147

申请日：2014.10.29

申请人：深圳市可易亚半导体科技有限公司

发明人：赵喜高

地址：518000广东省深圳市福田区车公庙天吉大厦CD座5C1

摘要： 本发明公开一种具有静电保护结构的功率器件及其制作方法，所述具有静电保护结构的功率器件包括：漂移层、漏区、漏极、P-掺杂区、第一N+掺杂区、P+掺杂区、第一绝缘膜、第二绝缘膜、多晶硅层、栅极、静电保护层、第三绝缘膜、源极、静电电极及导线层，所述静电保护层包括数个第二P-掺杂区以及数个第二N+掺杂区，所述数个第二P-掺杂区与数个第二N+掺杂区相间排列。本发明通过在内部设置数个相间排列的P-掺杂区与第二N+掺杂区，以形成一静电保护层—齐纳二极管结构，这样就可以去除静电安全电路等在电源模组内所占的空间，无需再另外设置静电保护结构，提高电源模组的空间效率，减少布线数量以及一些寄生参数，实现高效功率器件。